9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MPG06KHE3_A/53，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MPG06KHE3_A/53参考价格为0.14867美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MPG06KHE3_A/53包装/规格：DIODE GEN PURP 800V 1A MPG06。您可以下载MPG06KHE3_A/53英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，如MPG06KHE3_A/53价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
MPG06KHE3/73是DIODE GEN PURP 800V 1A MPG06，包括标准回收整流器产品，它们设计用于带盒（TB）包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.007125盎司，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计用于MPG06轴向以及通孔安装类型，该设备也可以用作MPG06供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@800V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，电压直流反向Vr Max为800V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为600ns，电容Vr F为10pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，最大浪涌电流为40 A，恢复时间为600ns。
带有用户指南的MPG06KHE3_A/54，包括1.1V@1A电压正向Vf Max。如果设计为在800V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于MPG06的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为600ns，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备还可以用作MPG06轴向包装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该设备为通孔安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@800V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F在4V、1MHz时为10pF。
MPG06KHE3_A/53，带电路图，包括10pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μA@800V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度范围为-55°C~150°C，该装置也可作为MPG06轴向封装外壳使用。此外，包装为磁带盒（TB），该设备提供600ns反向恢复时间trr，该设备具有自动AEC-Q101系列，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备包为MPG06，电压直流反向Vr最大值为800V，电压正向Vf最大值为1.1V@1A。
