9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的ES2A-M3/5BT,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。ES2A-M3/5BT参考价格为0.13794美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division ES2A-M3/5BT封装/规格:DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA。您可以下载ES2A-M3/5BT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如ES2A-M3/5BT价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
ES2A是DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA,包括超快恢复整流器产品,它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起工作,数据表注释中显示了用于ES2A_NL的零件别名,该ES2A_N提供单位重量功能,例如0.006349盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及DO-214AA,SMB包装箱,该装置也可以用作表面安装型。此外,供应商设备包为DO-214AA(SMB),该设备以单配置提供,该设备速度快速恢复=20mA(Io),二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为10μa@50V,电压正向Vf Max If为900mV@2A,电压直流反向Vr Max为50V,电流平均整流Io为2A,反向恢复时间trr为20ns,电容Vr F为18pF@4V,1MHz,工作温度结范围为-55°C~150°C,Pd功耗为1.66 W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,Vf正向电压为900 mV,Vr反向电压为50 V,Ir反向电流为10uA,如果正向电流为2A,最大浪涌电流为50A,恢复时间为20ns。
ES29LV800ET-70WGI,带有EON制造的用户指南。ES29LV800ET-70WGI在FBGA封装中提供,是内存的一部分。
ES29M16A-85CG,带有RENESAS制造的电路图。ES29M16A-85CG采用SOP8封装,是IC芯片的一部分。
ES2A R4是TSC制造的二极管开关50V 2A汽车2针SMB T/R。ES2A R4采用SMB封装,是IC芯片的一部分,支持二极管开关50V 2A汽车2引脚SMB T/R。