9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的ES2B-M3/5BT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ES2B-M3/5BT参考价格为0.13794美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division ES2B-M3/5BT封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA。您可以下载ES2B-M3/5BT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ES2B是DIODE GEN PURP 100V 2A DO214AA，包括超快恢复整流器产品，它们设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起工作，数据表注释中显示了用于ES2B_NL的零件别名，该ES2B_N提供单位重量功能，例如0.006349盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214AA，SMB包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214AA（SMB），该设备以单配置提供，该设备速度快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@100V，电压正向Vf Max If为900mV@2A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为20ns，电容Vr F为18pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~150°C，Pd功耗为1.66 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为900 mV，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为10uA，如果正向电流为2A，最大浪涌电流为50A，恢复时间为20ns。
ES2A-TP是DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AC，包括50 V Vr反向电压，它们设计为以975mV@2A电压正向Vf最大值运行。如果数据表注释中显示了用于50V的电压直流反向Vr最大值，提供单位重量功能，如0.003739盎司，供应商设备包设计为在DO-214AC（HSMA）中工作，以及快速恢复=200mA（Io）速度，该设备也可以用作ES2系列。此外，反向恢复时间trr为50ns，该设备为超快恢复整流器产品，该设备具有Digi-ReelR替代包装，包装箱为DO-214AC，SMA，其工作温度结范围为-50°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最大浪涌电流为50 a，它的最大工作温度范围为+150 C，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为2 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@50V，电流平均整流Io为2A，配置为单一。
带有电路图的ES2B/1，包括18pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于2A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μa@100V，提供标准等二极管类型功能，安装类型设计用于表面安装，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C，该设备也可以用作DO-214AA、SMB封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供30ns反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-214AA（SMB），电压DC反向Vr Max为100V，电压正向Vf Max If为900mV@2A。
ES2B R5，带有TSC制造的EDA/CAD模型。ES2B R5采用SMB封装，是IC芯片的一部分。
