9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的ES2D-M3/52T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ES2D-M3/52T参考价格为0.13794美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division ES2D-M3/52T封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AA。您可以下载ES2D-M3/52T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ES2DHE3J_A/H，带有引脚细节，包括汽车AEC-Q101系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，数据表注释中显示了用于DO-214AA、SMB的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于DO-214A A（SMB），以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为10μA@50V，该器件提供900mV@2A电压正向Vf Max。如果，该器件具有200V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为20ns，电容Vr F为18pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
ES2D-LTP是DIODE GEN PURP 200V 2A DO214AC，包括950mV@2A电压正向Vf Max。如果设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AC（SMA）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，系列设计用于ES2，以及35ns反向恢复时间trr，该装置也可以用作切割带（CT）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-214AC，SMA，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电流平均整流Io为2A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
带有电路图的ES2DHE3J/52T，包括18pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于2A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μa@200V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可以用作DO-214AC、SMA封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备以30ns反向恢复时间trr提供，设备速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装为DO-214AC（SMA），电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为900mV@2A。
