9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S2J-M3/5BT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S2J-M3/5BT参考价格为0.09173美元。Vishay通用半导体-二极管分部S2J-M3/5BT封装/规格：二极管GPP 1.5A 600V DO-214AA。您可以下载S2J-M3/5BT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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S2J是DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA，包括标准回收整流器产品，它们设计用于切割胶带（CT）包装，数据表注释中显示了R5中使用的零件别名，R5提供单位重量功能，如0.006349盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214AA SMB包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214AA（SMB），该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@600V，正向电压Vf Max If为1.15V@2A，直流反向电压Vr Max为600V，平均整流电流Io为2A，反向恢复时间trr为2μs，电容Vr F为30pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-55°C ~ 150°C，Pd功耗为2.35W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.15 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为1uA，如果正向电流为2A，最大浪涌电流为50A，恢复时间为2000ns。
S2J/54和用户指南，包括1.15V@1.5A电压正向Vf Max。如果设计为在600V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AA（SMB）的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为2μs，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可用作DO-214AA、SMB封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@600V，电流平均整流Io为1.5A，电容Vr F为16pF@4V，1MHz。
S2IME4，电路图由SHARP制造。S2IME4采用DIP-5封装，是IC芯片的一部分。
采用PANJIT制造的EDA/CAD模型的S2J T/R。S2J T/R采用DO-214封装，是IC芯片的一部分。
