9icnet为您提供由台湾半导体公司设计和生产的SFT14GHR0G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SFT14GHR0G参考价格为0.09649美元。台湾半导体公司SFT14GHR0G封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A TS-1。您可以下载SFT14GHR0G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SFT1458-TL-H带有引脚细节，包括SFT1458系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-252-3以及Si技术，该设备也可用于1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有1 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为60 ns，上升时间为11 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为1 a，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为13欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12ns，典型接通延迟时间为6ns，Qg栅极电荷为3.8nC，正向跨导Min为0.57S。
带有用户指南的SFT1452-TL-H，包括250 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.13932 oz单位重量运行，数据表说明中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，该N沟道提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计用于Si，以及SFT1452系列，该器件也可以用作2.4欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，包装为卷轴式，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有1个通道数，安装方式为SMD/SMT，Id连续漏电流为3A。
SFT1452-TL-W带有电路图，包括1个通道数量的通道，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于Si的技术，该Si提供晶体管极性特性，如N通道，晶体管类型设计用于1个N通道。
SFT1452-W具有EDA/CAD模型，包括Si技术，它们设计为与N沟道晶体管极性一起工作，封装如数据表注释所示，用于散装，提供晶体管类型功能，如1个N沟道，信道数设计为在1个信道中工作。
