9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SD103BWS-E3-18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SD103BWS-E3-18参考价格为0.05984美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SD103BWS-E3-18封装/规格：DIODE SCHOTTKY 350MA 30V SOD323。您可以下载SD103BWS-E3-18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SD103BWS-G3-08，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计用于肖特基二极管产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供零件别名功能，如SD103BWV-G-08，单位重量设计为0.000141盎司，以及SMD/SMT安装样式，该装置也可以用作SC-76、SOD-323封装盒。此外，该技术为Si，该器件为表面安装型，该器件具有供应商器件封装的SOD-323，且配置为单一，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为5μa@220V，电压正向Vf Max If为600mV@200mA，电压反向Vr Max为30V，电流平均整流Io为350mA（DC），反向恢复时间trr为10ns，电容Vr F为50pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，Pd功耗为200mW，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为600mV，Ir反向电流为5uA，If正向电流为350mA，Vrm重复反向电压为30V，Ifsm正向浪涌电流为2A，trr反向恢复时间为10ns。
SD103BWS-G3-18带有用户指南，包括30 V Vrm重复反向电压，它们设计为在600mV@200mA电压正向Vf Max的情况下工作。如果数据表说明中显示了用于30 V的电压直流反向Vr Max，其提供了600 mV等Vf正向电压特性，单位重量设计为在0.000141 oz内工作，以及10 ns trr反向恢复时间，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商设备包为SOD-323，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有自动AEC-Q101系列，反向恢复时间trr为10ns，产品为肖特基二极管，Pd功耗为200mW，零件别名为SD103BWS-V-G-18，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为SC-76，SOD-323，其工作温度结范围为-55°C~125°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55C，最大工作温度范围+125 C，Ir反向电流为5 uA，Ifsm正向浪涌电流为2 A，如果正向电流为350 mA，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为5μA@220V，电流平均整流Io为350mA（DC），配置为单，电容Vr F为50pF@0V，1MHz。
SD103BWS-HE3-08带有电路图，包括50pF@0V、1MHz电容Vr F，它们设计用于350mA（DC）电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@20V，提供肖特基等二极管型功能，安装型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可用作SC-76、SOD-323封装外壳。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，该设备提供10ns反向恢复时间trr，该设备具有自动AEC-Q101系列，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为SOD-323，电压DC反向Vr最大值为30V，电压正向Vf最大值为600mV@200mA。
