9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S2J-M3/52T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S2J-M3/52T参考价格为0.09173美元。Vishay通用半导体-二极管分部S2J-M3/52T封装/规格：二极管GPP 1.5A 600V DO-214AA。您可以下载S2J-M3/52T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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S2JHE3_A/H，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计为与DO-214AA、SMB包装箱一起操作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包装功能，如DO-214AB（SMB），速度设计为在标准恢复>500ns、>200mA（Io）以及标准二极管类型下工作，该器件还可以用作1μA@600V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.15V@1.5A，该器件提供600V直流反向电压Vr Max，该器件具有1.5A的平均整流电流Io，反向恢复时间trr为2μs，电容Vr F为16pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
带用户指南的S2JHE3_A/I，包括1.15V@1.5A电压正向Vf Max。如果设计为在600V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-214AA（SMB）中使用的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为2μs，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备还可以用作DO-214AA、SMB包装箱，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该设备为表面安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@600V，电流平均整流Io为1.5A，电容Vr F为16pF@4V，1MHz。
S2J-LTP是二极管GEN PURP 600V 2A DO214AA，包括20pF@4V、1MHz电容Vr F，设计用于2A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@600V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可用作DO-214AA、SMB封装盒。此外，该封装为Digi-ReelR替代封装，该器件提供快速恢复=20mA（Io）速度，该器件具有DO-214AA（SMB）供应商器件封装，直流反向电压Vr Max为600V，正向电压Vf Max If为1.15V@2A。
