9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SS2H10-M3/5BT,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SS2H10-M3/5BT参考价格为0.14982美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SS2H10-M3/5BT封装/规格:DIODE SCHOTTKY 2A 100V DO-214AA。您可以下载SS2H10-M3/5BT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SS2FL4-M3/H是DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO-219AB,包括Automotive、AEC-Q101、eSMPR系列,它们设计用于肖特基整流器产品,包装如数据表注释所示,用于Digi-ReelR替代包装,提供单位重量功能,如0.005291盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及DO-219A B包装盒,该器件也可以用作Si技术。此外,安装类型为表面安装,该设备在DO-219AB(SMF)供应商设备包中提供,该设备具有单一配置,速度为快速恢复=20mA(Io),二极管类型为肖特基,电流反向泄漏Vr为220μa@40V,电压正向Vf Max If为580mV@2A,电压直流反向Vr Max为40V,电流平均整流Io为2A,电容Vr F为125pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-55°C~150°C,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-55 C,Vf正向电压为500 mV,Vr反向电压为40 V,Ir反向电流为220 uA,并且If正向电流为2A,Vrm重复反向电压为40V,并且Ifsm正向浪涌电流为50A。
SS2FL4HM3/I带有用户指南,包括40 V Vrm重复反向电压,它们设计为在40 V Vr反向电压下工作,正向电压Vf Max If如数据表注释所示,用于580mV@2A,提供电压DC反向Vr Max功能,如40V,正向电压设计为在500 mV下工作,以及Si技术,该设备也可以用作DO-219AB(SMF)供应商设备包。此外,速度为快速恢复=200mA(Io),该设备有Automotive、AEC-Q101、eSMPR系列,该设备具有肖特基产品整流器,包装为胶带和卷轴(TR)交替包装,包装箱为DO-219AB,其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C,安装类型为SMD/SMT,安装类型是表面安装,它的最小工作温度范围为-55℃,最大工作温度范围+150℃,Ir反向电流为220 uA,Ifsm正向浪涌电流为50 A,Ifs正向电流为2 A,二极管类型为肖特基,电流反向泄漏Vr为220μA@40V,电流平均整流Io为2A,配置为单一,电容Vr F为125pF@4V,1MHz。
SS2FL4-M3/I带有电路图,包括125pF@4V、1MHz电容Vr F,它们设计用于单配置,数据表注释中显示了2A中使用的电流平均整流Io,提供电流反向泄漏Vr特性,如220μa@40V,二极管类型设计用于肖特基,该器件也可以用作50A Ifsm正向浪涌电流。此外,Ir反向电流为220 uA,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-55 C,安装类型为表面安装,安装类型是SMD/SMT,其工作温度结范围为-55°C~150°C,包装箱为DO-219AB,包装为胶带和卷轴(TR)交替包装,产品为肖特基整流器,系列为Automotive、AEC-Q101、eSMPR,速度为快速恢复=20mA(Io),供应商设备包为DO-219AB(SMF),技术为Si,Vf正向电压为500mV,电压DC反向Vr Max为40V,电压正向Vf Max If为580mV@2A,Vr反向电压为40V,Vrm重复反向电压为40V。
SS2H10,带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SS2H10采用DO-214AA封装,是二极管、整流器-单体的一部分。