9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VSSB410S-M3/52T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VSSB410S-M3/52T参考价格为0.49000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VSSB410S-M3/52T封装/规格：DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA。您可以下载VSSB410S-M3/52T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如VSSB410S-M3/52T价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息，例如VSSB410S-M3/52T库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信，所以请随时与我们联系。
VSSB410S-E3/52T是DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA，包括TMBSR系列，它们设计用于肖特基整流器产品。数据表说明中显示了用于Digi-ReelR替代包装的包装，该包装提供零件别名功能，如VSSB410S-M3/52T，单位重量设计为0.006349盎司，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作TMBS商标名。此外，封装外壳为DO-214AA，SMB，器件采用Si技术提供，器件具有安装型表面安装，供应商器件封装为DO-214A（SMB），配置为单一，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为250μa@100V，电压正向Vf Max If为770mV@4A，电压DC反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为1.9A（DC），电容Vr F为230pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-40°C~150°C，其最大工作温度范围为+150°C、最小工作温度范围-40°C，Vf正向电压为0.68 V，Ir反向电流为250 uA，并且如果正向电流是4A，并且Vrm重复反向电压是100V，并且Ifsm正向浪涌电流是80A。
带用户指南的VSSB3L6S-M3/5BT，包括590mV@3A正向电压Vf Max。如果它们设计为在60V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AA（SMB）的供应商设备包，该产品提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于TMBSR，以及磁带和卷轴（TR）替代包装，该器件也可用作DO-214AA、SMB封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装安装型，该器件具有二极管型肖特基，电流反向泄漏Vr为1.2mA@60V，电流平均整流Io为2.6A，电容Vr F为358pF@4V，1MHz。
VSSB410S-E3/5BT是二极管肖特基100V 1.9A DO214AA，包括230pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1.9A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1.5μa@70V，提供二极管类型功能，如肖特基，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-40°C~150°C，该器件也可用作DO-214AA、SMB封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备以TMBSR系列提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装为DO-214AA（SMB），电压DC反向Vr最大值为100V，电压正向Vf最大值为770mV@4A。
