9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S5JHE3_A/I，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S5JHE3_A/I参考价格为0.58000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division S5JHE3_A/I封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB。您可以下载S5JHE3_A/I英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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S5J-E3/9AT是DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB，包括标准回收整流器产品，它们设计用于胶带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.010582盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于DO-214AB、SMC以及表面安装型，该设备也可以用作DO-214AB（SMC）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@600V，正向电压Vf Max If为1.15V@5A，直流反向电压Vr Max为600V，电流平均整流Io为5A，反向恢复时间trr为2.5μs，电容Vr F为40pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55℃~150℃，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，Vf正向电压为1.15 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为5 A，最大浪涌电流为100A，恢复时间为2500ns。
S5JHE3/57T是DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB，包括1.15V@5A正向电压Vf Max。如果它们设计为在600V电压DC反向电压Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于DO-214AB（SMC）的供应商设备包，其提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为2.5μs，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作DO-214AB、SMC封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@600V，电流平均整流Io为5A，电容Vr F为40pF@4V，1MHz。
S5JHE3/9AT是DIODE GEN PURP 600V 5A DO214AB，包括40pF@4V，1MHz电容Vr F，设计用于5A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μa@600V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可用作DO-214AB、SMC封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供2.5μs反向恢复时间trr，设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），供应商设备包装为DO-214AB（SMC），直流反向电压Vr最大值为600V，正向电压Vf最大值为1.15V@5A。
