9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-1EFU06HM3/I，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-1EFU06HM3/I参考价格为0.12210美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-1EFU06HM3/I封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB。您可以下载VS-1EFU06HM3/I英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VS-1EFH02-M3/I带引脚细节，包括FRED PtR系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR），提供单位重量功能，如0.005291盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及FRED Pt商品名，它的工作温度范围为-65 C至+175 C。此外，封装外壳为DO-219AB，该器件为表面安装型，该器件具有供应商器件封装的DO-219A B（SMF），配置为单一，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为2μa@200V，电压正向Vf Max If为930mV@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为16ns，其工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为740 mV，Vr反向电压为200V，Ir反向电流为1uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为35A，恢复时间为25ns。
带用户指南的VS-1EFH02WHM3-18，包括930mV@1A电压正向Vf Max。如果设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了SMF（DO-219AB）中使用的供应商设备包，该SMF提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，系列设计为在FRED PtR中工作，以及16ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作Digi-ReelR包装。此外，封装外壳为DO-219AB，其工作温度结范围为-65°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为2μa@200V，电流平均整流Io为1A。
带有电路图的VS-1EFH02W-M3-18，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在200V电流反向泄漏Vr下工作2μa，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及DO-219AB封装盒，该设备也可以用作Digi-ReelR包装。此外，反向恢复时间trr为16ns，该设备采用FRED PtR系列，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包为SMF（DO-219AB），电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为930mV@1A。
