9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SBYV28-100-E3/73，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SBYV28-100-E3/73参考价格为0.58000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SBYV28-100-E3/73封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 3.5A DO201AD。您可以下载SBYV28-100-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SBYV27-50-E3/54是DIODE GEN PURP 50V 2A DO204AC，包括超快速恢复整流器产品，它们设计用于磁带和卷轴（TR）替代包装包装，零件别名如数据表注释所示，用于SBYV210-50-E3/73，提供单位重量功能，如0.012346盎司，安装样式设计用于通孔，以及DO-204AC、DO-15，轴向包装箱，该装置也可作为通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-204AC（DO-15），该设备为单配置，该设备速度快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@50V，电压正向Vf Max If为1.07V@3A，电压直流反向Vr Max为50V，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为15ns，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，其最大工作温度范围为+150°C；其最小工作温度范围是-55 C，在3A时Vf正向电压为1.07 V，Vr反向电压为50 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为2A，最大浪涌电流为50A，恢复时间为15ns。
SBYV27-50-E3/73是DIODE GEN PURP 50V 2A DO204AC，包括50 V Vr反向电压，它们设计为在1.07V@3A正向电压Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于50V的直流反向电压Vr Max，该50V提供Vf正向电压特性，如1.07 V at 3A，单位重量设计为0.012346盎司，以及DO-204AC（DO-15）供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复=20mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为15ns，设备的恢复时间为15 ns，设备具有产品的超快恢复整流器，零件别名为SBYV27-50-E3/54，包装为磁带盒（TB）交替包装，包装箱为DO-204AC、DO-15、轴向，其工作温度结合范围为-55°C~150°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为50 A，最大工作温度范围+150 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为2 A，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μA@50V，电流平均整流Io为2A，并且配置为Single，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
SBYV28-100-E3/54是DIODE GEN PURP 100V 3.5A DO201AD，包括20pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于3.5A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@100V，提供二极管类型功能，如标准，如果正向电流设计用于3.5 a，以及5 uA Ir反向电流，它的最大工作温度范围为+150℃。此外，最大浪涌电流为90 A，最小工作温度范围是-55℃，该设备具有安装类型的通孔，安装类型为通孔，其工作温度结范围为-55℃~150℃，包装箱为DO-201AD，轴向，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，产品为超快恢复整流器，恢复时间为20ns，反向恢复时间trr为20ns；速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-201AD，单位重量为0.038801 oz，Vf正向电压为1.1V，电压DC反向Vr Max为100V，电压正向Vf Max If为1.1V@3.5A，Vr反向电压为100V。
