9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BAT83S-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BAT83S-TAP价格参考$0.04455。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BAT83S-TAP封装/规格：DIODE SCHOTTKY 60V 30MA DO35。您可以下载BAT83S-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAT82S-TR是二极管肖特基50V 30MA DO35，包括汽车、AEC-Q101系列，设计用于肖特基二极管产品。数据表说明中显示了用于磁带和卷轴（TR）替代包装的包装，提供单位重量功能，如0.004833盎司，安装样式设计用于通孔，以及DO-204AH、DO-35、轴向包装箱，该器件也可以用作Si技术。此外，安装类型为通孔，该设备在DO-35供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为小信号=，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为200nA@50V，电压正向Vf Max If为1V@15mA，电压反向Vr Max为50V，电流平均整流Io为30mA（DC），电容Vr F为1.6pF@1V，1MHz，其工作温度结范围为125°C（最大），其最大工作温度范围为+125 C，其最小工作温度范围是-65 C，在0.015 A时Vf正向电压为1 V，Ir反向电流为0.2 uA，如果正向电流为0.03 A，Vrm重复反向电压为50 V，Ifsm正向浪涌电流为0.5A。
BAT82S-TAP是DIODE SCHOTTKY 50V 30MA DO35，包括50 V Vrm重复反向电压，它们设计为在15 mA电压下以1V的正向Vf Max运行。如果数据表中显示了用于50V的电压DC反向Vr Max，该电压提供了0.015 a下1 V的正向电压特性，单位重量设计为0.004833盎司，以及Si技术，该设备也可以用作DO-35供应商设备包。此外，速度为小信号=，该设备在汽车AEC-Q101系列中提供，该设备具有肖特基二极管产品，包装为磁带盒（TB）交替包装，包装箱为DO-204AH、DO-35、轴向，其工作温度接合范围为125°C（最大值），安装方式为通孔，安装类型为通孔，它的最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+125℃，Ir反向电流为0.2 uA，Ifsm正向浪涌电流为0.5 A，Ifs正向电流为0.03 A，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为200nA@50V，电流平均整流Io为30mA（DC），电容Vr F为1.6pF@1V，1MHz。
BAT83电路图由PH制造。BAT83采用DO-34封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
