9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5418TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5418TR参考价格为1.13000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5418TR封装/规格：DIODE AVLANCHE 400V 3A SOD64。您可以下载1N5418TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5418-TAP是DIODE AVLANCHE 400V 3A SOD64，包括1N54xx系列，它们设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带盒（TB），提供单位重量功能，如0.030265盎司，安装类型设计用于通孔，以及SOD-64轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为SOD-64，该设备为单配置，该设备的标准恢复时间>500ns，速度>200mA（Io），二极管类型为雪崩，电流反向泄漏Vr为1μa@200V，电压正向Vf Max If为1.5V@9A，电压直流反向Vr Max为400V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为100ns，工作温度结范围为-55°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为400 V，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为3 A，最大浪涌电流为100 A，恢复时间为100ns。
1N5418是DIODE GEN PURP 400V 3A B-MELF，包括400 V Vr反向电压，它们设计为在1.5V@9A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于400V的电压直流反向Vr Max，其提供了1.1 V等Vf正向电压特性，供应商设备包设计为在B、SQ-MELF以及快速恢复=20mA（Io）速度下工作，该设备也可以用作150ns反向恢复时间trr。此外，恢复时间为150 ns，该设备为快速恢复整流器产品，该设备具有大量包装，包装箱为SQ-MELF，B，其工作温度范围为-65℃至+175℃，其工作连接温度范围为-65℃~175℃，安装方式为轴向，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-65℃，最大浪涌电流为150 A，最大工作温度范围+175℃，Ir反向电流为20 uA，If正向电流为4.5 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为1μA@400V，电流平均整流Io为3A，配置为单一。
1N5418JANTX，电路图由AKK制造。1N5418JANTX提供400V 3A 2PIN E封装，是IC芯片的一部分。
