9icnet为您提供由Micro Commercial Co设计和生产的BAS16WT-TP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BAS16WT-TP价格参考$0.04554。Micro Commercial Co BAS16WT-TP包装/规格：DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT323。您可以下载BAS16WT-TP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAS16WT1G是DIODE GEN PURP 100V 200MA SC70-3，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于SC-70、SOT-323包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包装功能，如SC-70-3（SOT323），速度设计用于小信号=，以及标准二极管类型，该器件还可以用作1μA@75V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.25V@150mA，该器件提供100V电压DC反向电压Vr Max，该器件具有200mA（DC）电流平均整流Io，反向恢复时间trr为6ns，电容Vr F为2pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
BAS16WT1是DIODE GEN PURP 100V 200MA SC70-3，包括1.25V@150mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在100V电压直流反向Vr Max下工作，则供应商设备包如数据表注释所示，用于SC-70-3（SOT323），其提供速度特性，如小信号=、反向恢复时间trr设计为在6ns内工作，该器件也可以用作SC-70、SOT-323封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@75V，电流平均整流Io为200mA（DC），电容Vr F为2pF@0V，1MHz。
BAS16W-TP是DIODE GEN PURP 75V 100MA SOD123，包括2pF@0V，1MHz电容Vr F，它们设计用于100MA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@75V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该装置也可用作SOD-123包装箱。此外，包装为Digi-ReelR替代包装，该设备以6ns反向恢复时间trr提供，该设备具有小信号=速度，供应商设备包装为SOD-123，电压DC反向Vr Max为75V，电压正向Vf Max If为1.25V@150mA。
