9icnet为您提供由Micro Commercial Co设计和生产的S2G-LTP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S2G-LTP参考价格为0.08360美元。Micro Commercial Co S2G-LTP包装/规格：DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA。您可以下载S2G-LTP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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S2GHE3_A/H，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计用于DO-214AA、SMB包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如DO-214AB（SMB），速度设计用于标准恢复>500ns、>200mA（Io）以及标准二极管类型，该器件也可以用作1μA@400V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.15V@1.5A，该设备提供400V电压直流反向Vr Max，该设备具有1.5A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为2μs，电容Vr F为16pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
带有用户指南的S2GHE3_A/I，包括1.15V@1.5A电压正向Vf Max。如果它们设计为在400V电压直流反向Vr Max下运行，数据表说明中显示了用于DO-214AA（SMB）的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为在2μs内工作，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备还可以用作DO-214AA、SMB包装箱，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该设备为表面安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@400V，电流平均整流Io为1.5A，电容Vr F为16pF@4V，1MHz。
S2GHM3/52T带电路图，包括16pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于1.5A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@400V，提供标准等二极管类型功能，安装类型设计用于表面安装，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该设备也可以用作DO-214AA、SMB封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供2μs反向恢复时间trr，设备的标准恢复时间>500ns，速度>200mA（Io），供应商设备包装为DO-214AA（SMB），电压DC反向Vr Max为400V，电压正向Vf Max If为1.15V@1.5A。
S2GL128M10TFIR10，带有SPANSION制造的EDA/CAD模型。S2GL128M10TFIR10在TSOP包中提供，是内存的一部分。
