9icnet为您提供由Micro Commercial Co设计和生产的S2K-LTP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S2K-LTP参考价格为0.08360美元。Micro Commercial Co S2K-LTP包装/规格：DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA。您可以下载S2K-LTP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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S2K-E3/5BT是DIODE GEN PURP 800V 1.5A DO214AA，包括标准回收整流器产品，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装包装一起使用。数据表注释中显示了用于S2K-E3-52T的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.006349盎司，安装样式设计为适用于SMD/SMT，以及DO-214AA，SMB包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214AA（SMB），该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为1μa@800V，电压正向Vf Max If为1.15V@1.5A，电压直流反向Vr Max为800V，电流平均整流Io为1.5A，反向恢复时间trr为2μs，电容Vr F为16pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为1.15 V，Vr反向电压为800 V，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为1.5A，最大浪涌电流为50A，恢复时间为2000ns。
带用户指南的S2KHE3_A/H，包括1.15V@1.5A电压正向Vf Max。如果设计为在800V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-214AA（SMB）中使用的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为2μs，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备还可以用作DO-214AA、SMB包装箱，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该设备为表面安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@800V，电流平均整流Io为1.5A，电容Vr F为16pF@4V，1MHz。
带电路图的S2KHE3_A/I，包括16pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计为在1.5A电流平均整流Io下工作，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μA@800V，提供标准等二极管类型功能，安装类型设计为在表面安装中工作，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C，该设备也可以用作DO-214AA、SMB封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，设备提供2μs反向恢复时间trr，设备的标准恢复时间>500ns，速度>200mA（Io），供应商设备包装为DO-214AA（SMB），电压DC反向Vr Max为800V，电压正向Vf Max If为1.15V@1.5A。
S2K-E3/61T，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。S2K-E3/61T采用SMB封装，是IC芯片的一部分。
