9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的EGL41CHE3_A/H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。EGL41CHE3_A/H参考价格为0.14492美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division EGL41CHE3_A/H封装/规格：DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB。您可以下载EGL41CHE3_A/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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EGL41BHE3/97是DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.004762盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-213AB，MELF（玻璃）包装盒，该设备也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-213AB，该设备为单配置，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电压正向Vf Max If为1V@1A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为20pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1 V，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为50ns。
EGL41C-E3/96是DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB，包括150 V Vr反向电压，它们设计为在1 V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于150V的电压直流反向Vr Max，该150V提供1 V正向电压功能，单位重量设计为0.004762盎司，以及DO-213AB供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，该系列为SUPERCTIFIERR，该设备提供50ns反向恢复时间trr，该设备具有50ns的恢复时间，产品为超快恢复整流器，包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，包装箱为DO-213AB，MELF（玻璃），其工作温度结区范围为-65°C~175°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最小工作温度范围为-65 C，最大浪涌电流为30 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@150V，电流平均整流Io为1A，并且配置为Single，电容Vr F为20pF@4V，1MHz。
EGL41C-E3/97是DIODE GEN PURP 150V 1A DO213AB，包括20pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于单配置操作，数据表注释中显示了用于1A的电流平均整流Io，提供电流反向泄漏Vr特性，如5μa@150V，二极管类型设计用于标准，以及1 a如果正向电流，该器件也可以用作5 uA Ir反向电流，其最大工作温度范围为+175℃，该器件提供30 A最大浪涌电流，其最小工作温度范围是-65℃，安装类型为表面安装，安装类型是SMD/SMT，其工作温度结范围为-65℃~175℃，封装外壳为DO-213AB，MELF（玻璃），包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，产品为超快恢复整流器，恢复时间为50ns，反向恢复时间trr为50ns；系列为SUPERECTIFIERR，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-213AB，单位重量为0.004762 oz，Vf正向电压为1 V，并且电压DC反向Vr Max为150V，并且电压正向Vf Max If为1V@1A，并且Vr反向电压为150V。
EGL41C，带有DIODES制造的EDA/CAD模型。EGL41C采用SOD-80封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
