9icnet为您提供英飞凌技术公司设计和生产的BAW78C，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BAW78C的参考价格为0.08000美元。Infineon Technologies BAW78C封装/规格：整流器二极管，1A，200V。您可以下载BAW78C英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAW76-TR是DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计为使用磁带和卷轴（TR）替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-204AH、DO-35、轴向，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备包设计为在DO-35中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为100nA@50V，器件提供1V@100mA电压正向Vf Max。如果，器件具有50V电压反向Vr Max，电流平均整流Io为300mA（DC），反向恢复时间trr为4ns，电容Vr F为2pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为175°C（Max）。
BAW76-TAP是DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35，包括1V@100mA正向电压Vf Max。如果它们设计为在50V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-35的供应商设备包，该DO-35提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101以及4ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带盒（TB）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-204AH，DO-35，轴向，其工作温度结范围为175°C（最大值），装置具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为100nA@50V，电流平均整流Io为300mA（DC），电容Vr F为2pF@0V，1MHz。
BAW76DB带有GS制造的电路图。BAW76DBDO-35封装，是IC芯片的一部分。
BAW78A带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。BAW78A采用SOT89封装，是IC芯片的一部分。
