9icnet为您提供由Micro Commercial Co设计和生产的BAS21WS-TP，该产品在9icnet现场销售，可以通过原始工厂和代理商等渠道购买。BAS21WS-TP参考价格为0.26000美元。Micro Commercial Co BAS21WS-TP包装/规格：DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323。您可以下载BAS21WS-TP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BAS21W，115是DIODE GEN PURP 250V 225MA SOT363，包括Automotive、AEC-Q101系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于SC-70、SOT-323，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于SOT-323，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为100nA@200V，器件提供1.25V@200mA电压正向Vf Max。如果，器件具有250V电压反向Vr Max，电流平均整流Io为225mA（DC），反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为2pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为150°C（Max）。
BAS21W-7-F是DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT323，包括1.25V@200MA电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于SOT-323的供应商设备包，该SOT-323提供速度特性，如小信号=，反向恢复时间trr设计为50ns，除了Digi-ReelR替代封装外，该器件还可以用作SC-70、SOT-323封装盒，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100nA@200V，电流平均整流Io为200mA，并且电容Vr F在0V、1MHz时为5pF。
BAS21W-7是DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT323，包括5pF@0V、1MHz电容Vr F，设计用于200MA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于100nA@200V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件也可用作SC-70、SOT-323封装外壳。此外，包装为切割胶带（CT），该设备以50ns反向恢复时间trr提供，该设备具有小信号=速度，供应商设备包装为SOT-323，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.25V@200mA。
