9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的B350B-M3/52T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。B350B-M3/52T参考价格为0.13195美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division B350B-M3/52T封装/规格：DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO214AA。您可以下载B350B-M3/52T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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B350B-13-F是二极管肖特基50V 3A SMB，包括B350系列，它们设计用于肖特基二极管产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.003280盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214AA，SMB包装箱，该器件也可以用作Si技术。此外，安装类型为表面安装，该设备采用SMB供应商设备包提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为500μa@50V，正向电压Vf Max If为700mV@3A，直流反向电压Vr Max为50V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为200pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为0.7 V，Ir反向电流为500 uA，如果正向电流为3 A，Vrm重复反向电压为50 V，Ifsm正向浪涌电流为100A。
B350B-E3/52T是DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO214AA，包括50V Vrm重复反向电压，它们设计为在660mV@3A正向电压Vf Max下工作。如果数据表说明中显示了用于50V的直流反向电压Vr Max，该50V提供了0.66 V等正向电压特性，单位重量设计为0.003280盎司，以及Si技术，该设备也可以用作DO-214AA（SMB）供应商设备包。此外，速度为快速恢复=200mA（Io），该器件采用肖特基二极管产品，该器件具有胶带和卷轴（TR）交替封装，封装外壳为DO-214AA，SMB，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为100 uA，Ifsm正向浪涌电流为60 A，如果正向电流为3 A，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为100μA@50V，电流平均整流Io为3A，配置为单一。
B350B-E3/5BT是DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO214AA，包括单一配置，它们设计用于3A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于100μa@50V，提供二极管类型功能，如肖特基，如果正向电流设计为3A，以及60 a Ifsm正向浪涌电流，该器件也可以用作100 uA Ir反向电流，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，该器件具有安装类型的表面安装，安装类型为SMD/SMT，其工作温度结范围为-55℃~150℃，封装盒为DO-214AA，SMB，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，产品为肖特基二极管，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-214AA（SMB），技术为Si，单位重量为0.003280 oz，Vf正向电压为0.66V，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为660mV@3A，Vrm重复反向电压为50V。
