9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的GL41MHE3/97，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GL41MHE3/97参考价格0.13200美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division GL41MHE3/97封装/规格：DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB。您可以下载GL41MHE3/97英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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GL41M-E3/96是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供部件别名功能，如GL41M-E3/97，单位重量设计为0.004762盎司，以及SMD/SMT安装样式，该装置也可以用作DO-213AB、MELF（玻璃）包装盒。此外，安装类型为表面安装，该设备在DO-213AB供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@1000V，电压正向Vf Max If为1.2V@1A，电压直流反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为1A，电容Vr F为8pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-65℃，Vf正向电压为1.2 V，Vr反向电压为1000 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A。
GL41M-E3/97是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB，包括1000 V Vr反向电压，它们设计为以1.2V@1A电压正向Vf Max运行。如果数据表注释中显示了用于1000V（1KV）的直流反向Vr Max，提供1.2 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.004762盎司，以及DO-213AB供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，该系列为SUPERCTIFIERR，该设备为标准回收整流器产品，该设备具有GL41M-E3/96零件别名，包装为胶带和卷轴（TR），包装箱为DO-213AB，MELF（玻璃），其工作温度结区范围为-65°C~175°C，安装方式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-65℃，最大浪涌电流为30 A，最大工作温度范围+175℃，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为1 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μA@1000V，电流平均整流Io为1A，配置为单一，电容Vr F为8pF@4V，1MHz。
GL41MHE3/96是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO213AB，包括8pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于单配置，数据表说明中显示了用于1A的电流平均整流Io，该1A提供电流反向泄漏Vr特性，例如10μa@1000V，二极管类型设计用于标准，以及1 a如果正向电流，该器件也可以用作10 uA Ir反向电流，其最大工作温度范围为+175℃，该器件提供30 A最大浪涌电流，其最小工作温度范围是-65℃，安装类型为表面安装，安装类型是SMD/SMT，其工作温度结范围为-65℃~175℃，封装外壳为DO-213AB，MELF（玻璃），包装为胶带和卷轴（TR）交替包装，产品为标准回收整流器，系列为SUPERECTFIERR，速度为标准回收＞500ns，＞200mA（Io），供应商设备包装为DO-213AB，单位重量为0.004762 oz，Vf正向电压为1.2V，直流反向电压Vr最大值为1000V（1kV），电压正向Vf Max If为1.2V@1A，Vr反向电压为1000V。
