9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的PMEG6002EBF，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。PMEG6002EBF价格参考0.06090美元。Nexperia USA Inc.股份有限公司PMEG6002EBF封装/规格：二极管SCHOTTKY 60V 200MA SOD523。您可以下载PMEG6002EBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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PMEG45U10EPDZ带有引脚细节，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于3-SMD、扁平引线封装盒，技术如数据表注释所示，用于Si，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于CFP15，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作肖特基二极管型。此外，电流反向泄漏Vr为600μA@45V，该器件提供490mV@10A正向电压Vf Max If，该器件具有45V的直流反向电压Vr Max，电流平均整流Io为10A，反向恢复时间trr为34ns，电容Vr F为1170pF@1V，1MHz，其工作温度结范围为150°C（Max），Pd功耗为3.1W，Vf正向电压为490mV，Ir反向电流为600uA，If正向电流为10A，Vrm重复反向电压为45V，Ifsm正向浪涌电流为180A。
PMEG6002EB，115是DIODE SCHOTTKY 60V 200MA SOD523，包括600mV@200MA电压正向Vf Max。如果它们设计为在60V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了SOD-523中使用的供应商设备包，该设备包提供了小信号=等速度特性，SOD-523包装箱，其工作温度结范围为150°C（最大值）。此外，安装类型为表面安装，该器件为肖特基二极管类型，该器件具有100μa@60V的电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为200mA（DC），电容Vr F为20pF@1V，1MHz。
PMEG45U10EPDAZ带电路图，包括1170pF@1V，1MHz电容Vr F，它们设计用于10A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于20mA@10V，提供肖特基等二极管类型功能，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可用作3-SMD，扁平引线封装外壳。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供16ns反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为CFP15，电压DC反向Vr Max为45V，电压正向Vf Max If为490mV@10A。
PMEG6002EB，带有恩智浦制造的EDA/CAD模型。PMEG6002EB采用SOD523封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
