9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MURS340S-M3/5BT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MURS340S-M3/5BT参考价格为0.13231美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MURS340S-M3/5BT封装/规格：DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AA。您可以下载MURS340S-M3/5BT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MURS340S-E3/52T是DIODE GEN PURP 400V 3A DO214AB，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计为与DO-214AB、SMC包装箱一起操作，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包功能，如DO-214AA、（SMC），速度设计为快速恢复=20mA（Io），与标准二极管类型一样，该器件也可以用作5μA@400V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.45V@3A，该设备提供400V电压DC反向Vr Max，该设备具有3A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为75ns，其工作温度结范围为-65°C~175°C，Vf正向电压为1.45V，Vr反向电压为400V，如果正向电流为3A，恢复时间为75ns。
MURS340-M3/57T是DIODE RECT 3A 400V 50NS DO214AB，包括1.28V@4A电压正向Vf Max。如果设计为在400V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AB（SMC）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为75ns，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备还可以用作DO-214AB、SMC包装盒，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该设备为表面安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@400V，电流平均整流Io为3A。
带有电路图的MURS340-M3/9AT，包括3A电流平均整流Io，它们设计为在10μa@400V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，可用于标准中，该标准提供安装型功能，如表面安装，其工作温度结区范围为-65°C~175°C，以及DO-214AB，SMC封装盒，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，反向恢复时间trr为75ns，该设备以快速恢复=200mA（Io）速度提供，该设备具有DO-214AB（SMC）供应商设备包，电压DC反向Vr Max为400V，电压正向Vf Max If为1.25V@3A。
