9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SE30AFBHM3/6B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SE30AFBHM3/6B参考价格0.13497美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SE30AFBHM3/6B封装/规格：DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC。您可以下载SE30AFBHM3/6B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SE30AFBHM3/6B价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SE30AFBHM3/6A是DIODE GEN PURP 100V 3A DO221AC，包括标准回收整流器产品，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装。数据表注释中显示了用于SE30AFB-M3/6A SE30AFB M3/6B的零件别名，SE30AFB-M3/6B提供单位重量功能，例如0.001129盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SlimSMA商品名，该器件也可以用作DO-221AC、SMA扁平引线封装盒。此外，安装类型为表面安装，该设备在DO-221AC（SlimSMA）供应商设备包中提供，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@100V，电压正向Vf Max If为1.1V@3A，电压反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为3A（DC），反向恢复时间trr为1.5μs，电容Vr F为19pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~175°C，Vr反向电压为100V，Ir反向电流为5uA，如果正向电流为2A，最大浪涌电流为35A，恢复时间为1.2us。
SE3010BQ，带有SIGE制造的用户指南。SE3010BQ采用QFP封装，是IC芯片的一部分。
SE303A-S，带有SEIMENS制造的电路图。SE303A-S采用DIP封装，是IC芯片的一部分。
