9icnet为您提供由IXYS设计和生产的DSEP8-06A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DSEP8-06A参考价格为1.83000美元。IXYS DSEP8-06A包装/规格：二极管GEN PURP 600V 10A TO220AC。您可以下载DSEP8-06A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DSEP8-03AS是DIODE GEN PURP 300V 8A TO252AA，包括HiPerFRED？系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，数据表注释中显示了用于to-252-3、DPak（2引线+接线片）、SC-63的封装盒，该封装盒提供了表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于to-252AA，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该设备也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为60μA@300V，该器件提供1.69V@8A电压正向Vf Max。如果，该器件具有300V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为8A，反向恢复时间trr为30ns，其工作温度结范围为-40°C ~ 175°C。
DSEP8-03A是DIODE GEN PURP 300V 10A TO220AC，包括1.75V@10A正向电压Vf Max。如果它们设计为在300V电压DC反向电压Vr Max下工作，则数据表说明中显示了用于to-220AC的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计为在HiPerFRED？中工作？，以及30ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作管包装。此外，封装外壳为TO-220-2，其工作温度结范围为-55°C~175°C，器件具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为60μa@300V，电流平均整流Io为10A。
DSEP8-02A是DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC，包括8A电流平均整流Io，它们设计为在200V电流反向泄漏Vr下工作50μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型功能，如通孔，其工作温度结范围为-55°C~175°C，以及to-220-2封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，反向恢复时间trr为25ns，设备采用HiPerFRED？系列，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包为TO-220AC，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.3V@8A。
