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RFN20NS6STL是DIODE GEN PURP 600V 20A LPDS，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如LPDS，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），与标准二极管类型一样，该器件也可以用作10μA@600V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.55V@20A，该设备提供600V直流反向电压Vr Max，该设备具有20A电流平均整流Io，反向恢复时间trr为60ns，其工作温度结范围为150°C（最大值）。
RFN1L7STE25是DIODE GEN PURP 700V 800MA PMDS，包括1.5V@800MA电压正向Vf Max。如果设计为在700V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于PMDS的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为80ns、，除了Digi-ReelR替代封装外，该器件还可以用作DO-214AC、SMA封装盒，其工作温度结范围为150°C（最大值），该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@700V，电流平均整流Io为800mA。
RFN20，电路图由ROHM制造。RFN20采用TO-220F封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
RFN20NS3SWTL，带有ROHM制造的EDA/CAD模型。RFN20NS3SWTL采用TO263封装，是IC芯片的一部分。
