9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的RS07K-M-18，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RS07K-M-18参考价格为0.14850美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division RS07K-M-18封装/规格：DIODE GP 800V 500MA DO219AB。您可以下载RS07K-M-18英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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RS07J-GS18是DIODE SW 600V DO219，包括汽车AEC-Q101系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-219AB，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于DO-219B（SMF），以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为10μA@600V，该器件提供1.15V@700mA电压正向Vf Max If，该器件具有600V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为500mA，反向恢复时间trr为250ns，电容Vr F为9pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
RS07J-M-08是DIODE SW 600V DO219-M，包括1.15V@700mA电压正向Vf Max。如果设计为在600V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-219AB（SMF）的供应商设备包，该DO-219A提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101、，以及250ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-219AB，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为10μa@600V，电流平均整流Io为500mA，电容Vr F为9pF@4V，1MHz。
带有电路图的RS07J-M-18，包括9pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于500mA电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μa@600V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可以用作DO-219AB封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，该设备提供250ns反向恢复时间trr，该设备具有自动AEC-Q101系列，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-219AB（SMF），直流反向电压Vr最大值为600V，正向电压Vf最大值为1.15V@700mA。
