9icnet为您提供由Comchip Technology设计和生产的CSFC303-G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSFC303-G参考价格0.19607美元。Comchip Technology CSFC303-G封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB。您可以下载CSFC303-G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSFB205-G是DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于DO-214AA SMB封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如DO-214AB（SMB），速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作5μA@600V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.3V@2A，该设备提供600V直流反向电压Vr Max，该设备具有2A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为35ns，其工作温度结范围为150°C（最大值）。
CSFC302-G是DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB，包括950mV@3A正向电压Vf Max。如果设计为在100V电压DC反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AB（SMC）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为35ns、，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作DO-214AB、SMC封装盒，其工作温度结范围为150°C（最大值），该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电流平均整流Io为3A。
CSFC301-G是DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB，包括3A电流平均整流Io，它们设计为在5μa@50V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供了表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为150°C（最大值），以及DO-214AB SMC封装外壳，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，反向恢复时间trr为35ns，该设备以快速恢复=200mA（Io）速度提供，该设备具有DO-214AB（SMC）供应商设备包，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为950mV@3A。
