9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N4935GP-E3/54，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4935GP-E3/54参考价格0.18216美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N4935GP-E3/54封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL。您可以下载1N4935GP-E3/54英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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1N4935GP是DIODE GEN PURP 200V 1A DO41，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于DO-204AL、DO-41、轴向封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备封装功能，如DO-41，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作5μA@200V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.2V@1A，该器件提供200V电压直流反向Vr Max，该器件具有1A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为150ns，电容Vr F为12pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-50°C ~ 150°C。
1N4935GL-T是DIODE GEN PURP 200V 1A DO41，包括1.2V@1A电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-41的供应商设备包，该DO-41提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为200ns，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电流平均整流Io为1A。
1N4935G-B是整流器Vr/200V Io/1A BULK，包括单一配置，它们设计为在1 a下工作。如果数据表注释中显示了用于5 uA的正向电流、Ir反向电流，它的最大工作温度范围为+150 C，最大浪涌电流设计为在30 a下工作，它的最小工作温度范围是-65 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，包装箱为DO-41，该设备为散装包装，该设备具有产品快速恢复整流器，恢复时间为200ns，单位重量为0.010935 oz，Vf正向电压为1.2V，Vr反向电压为200V。
