9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的ES3C-M3/57T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ES3C-M3/57T参考价格为0.21005美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division ES3C-M3/57T封装/规格：DIODE GEN PURP 150V 3A DO214AB。您可以下载ES3C-M3/57T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ES3AHE3_A/H，带有引脚细节，包括汽车AEC-Q101系列，它们设计为使用磁带和卷轴（TR）交替包装包装，数据表注释中显示了用于DO-214AB、SMC的包装箱，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在DO-214AA、（SMC）以及快速恢复=20mA（Io）速度下工作，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为10μA@50V，该器件提供900mV@3A电压正向Vf Max。如果，该器件具有50V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为30ns，电容Vr F为45pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
ES3AHE3_A/I带有用户指南，包括900mV@3A电压正向Vf Max，如果设计为在50V电压直流反向Vr Max下运行，则供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-214AB（SMC），提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车AEC-Q101，以及30ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-214AB，SMC，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为10μa@50V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为45pF@4V，1MHz。
ES3AHE3/9AT是DIODE GEN PURP 50V 3A DO214AB，包括45pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于3A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μa@50V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可用作DO-214AB、SMC封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供30ns反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-214AB（SMC），电压DC反向Vr最大值为50V，电压正向Vf最大值为900mV@3A。
