9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的BAS20235，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。BAS20235参考价格$0.02178。Nexperia USA Inc.BAS20235包装/规格：DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23。您可以下载BAS20235英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAS20215是DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23，包括Digi-ReelR替代包装包装，设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3包装箱，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包装功能，如SOT-23（to-236AB），速度设计用于小信号=，与标准二极管类型一样，该器件也可以用作100nA@150V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.25V@200mA，该器件提供150V电压DC反向Vr Max，该器件具有200mA（DC）的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为5pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为150°C（最大值）。
BAS20是DIODE GP 200V 200MA SOT23-3，包括1.25V@200MA电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了SOT-23-3（to-236）中使用的供应商设备包，该设备提供速度特性，如小信号=，反向恢复时间trr设计为50ns，除了Digi-ReelR替代封装外，该器件还可以用作TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为100nA@50V，电流平均整流Io为200mA，并且电容Vr F在0V、1MHz时为5pF。
BAS19WT-TP是DIODE GEN PURP 100V 200MA SOT323，包括5pF@0V，1MHz电容Vr F，它们设计用于200MA（DC）电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于100nA@100V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可用作SC-70、SOT-323封装外壳。此外，该封装为Digi-ReelR交替封装，该器件以50ns反向恢复时间trr提供，该器件具有小信号=速度，供应商器件封装为SOT-323，电压DC反向Vr Max为100V，电压正向Vf Max If为1.25V@200mA。
