9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SS23S-M3/61T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SS23S-M3/61T参考价格$0.07480。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SS23S-M3/61T封装/规格：DIODE SCHOTTKY 2A 30V DO-214AC。您可以下载SS23S-M3/61T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SS23S-E3/61T是DIODE SCHOTTKY 30V 2A DO214AA，包括肖特基整流器产品，它们设计用于带卷（TR）包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.00739盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于DO-214AA、SMB以及Si技术，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214AA（SMB），该设备以单配置提供，该设备速度快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为200μa@30V，电压正向Vf Max If为550mV@2A，电压直流反向Vr Max为30V，电流平均整流Io为2A，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C；最小工作温度范围-55°C，Vf正向电压为0.55 V，Ir反向电流为200 uA；如果正向电流为2 A，Vrm重复反向电压为30 V，Ifsm正向浪涌电流为40 A。
SS23S-M3/5AT，带有用户指南，包括500mV@2A电压正向Vf Max。如果设计为在30V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-214AC（SMA）中使用的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，SMA封装外壳，其工作温度范围为-65°C~125°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为肖特基二极管类型，该器件具有400μa@30V的反向漏电Vr，电流平均整流Io为2A。
SS23SHE3_A/H带有电路图，包括2A电流平均整流Io，它们设计为在400μA@30V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-65°C~125°C，以及DO-214AC、SMA封装外壳，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，该系列为SS2x，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的DO-214AC（SMA），电压DC反向Vr Max为30V，电压正向Vf Max If为500mV@2A。
