9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SS24S-M3/61T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SS24S-M3/61T参考价格$0.07480。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SS24S-M3/61T封装/规格：DIODE SCHOTTKY 2A 40V DO-214AC。您可以下载SS24S-M3/61T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SS24SHE3_A/H，带有引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计为使用磁带和卷轴（TR）替代包装包装，数据表注释中显示了用于DO-214AC、SMA的包装箱，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在DO-214AA（SMA）中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作肖特基二极管型。此外，电流反向泄漏Vr为200μA@40V，该器件提供550mV@2A电压正向Vf Max If，该器件具有40V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为2A，电容Vr F为130pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
SS24SHE3_A/I带用户指南，包括550mV@2A电压正向Vf Max。如果设计为在40V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AC（SMA）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101、，除了磁带和卷轴（TR）交替包装外，该器件还可以用作DO-214AC、SMA封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型肖特基二极管，电流反向泄漏Vr为200μa@40V，电流平均整流Io为2A，电容Vr F为130pF@4V，1MHz。
SS24S-M3/5AT带电路图，包括2A电流平均整流Io，它们设计为在200μa@40V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及DO-214AC、SMA封装外壳，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，速度快速恢复=200mA（Io），该设备在DO-214AC（SMA）供应商设备包中提供，该设备具有40V直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为550mV@2A。
