9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SB2K-M3/52T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SB2K-M3/52T参考价格为0.11599美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SB2K-M3/52T封装/规格：DIODE GEN PURP 800V 2A DO214AA。您可以下载SB2K-M3/52T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SB2H90-E3/73是二极管肖特基90V 2A DO204AC，包括肖特基二极管产品，它们设计用于磁带盒（TB）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.012346盎司，具有通孔等安装方式特征，包装盒设计用于DO-204AC、DO-15、轴向以及Si技术，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-204AC（DO-15），该设备为单配置，该设备速度快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为10μa@90V，电压正向Vf Max If为790mV@2A，电压直流反向Vr Max为90V，电流平均整流Io为2A，它的工作温度结范围为-55℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围-55℃，Vf正向电压为0.79 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为2 A，Vrm重复反向电压为90 V，Ifsm正向浪涌电流为75 A。
SB2J-M3/52T是DIODE RECT 2A 600V DO-214AA，包括1.15V@2A电压正向Vf Max。如果设计为在600V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AA（SMB）的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为2μs，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备还可以用作DO-214AA、SMB包装箱，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该设备为表面安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@600V，电流平均整流Io为2A（DC），电容Vr F为16pF@4V，1MHz。
SB2J-M3/5BT带电路图，包括16pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于2A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@600V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该设备也可以用作DO-214AA、SMB封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，设备提供2μs反向恢复时间trr，设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），供应商设备包装为DO-214AA（SMB），电压DC反向Vr最大值为600V，电压正向Vf最大值为1.15V@2A。
