9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SB2M-M3/52T，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SB2M-M3/52T参考价格为0.11599美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SB2M-M3/52T封装/规格：DIODE GEN PURP 1KV 2A DO214AA。您可以下载SB2M-M3/52T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SB2K-M3/52T是DIODE RECT 2A 800V DO-214AA，包括磁带和卷轴（TR）交替包装包装，它们设计为与DO-214AB SMB包装箱一起操作，安装类型如数据表说明所示，用于表面安装，提供供应商设备包功能，如DO-214AC（SMB），速度设计为在标准恢复>500ns，>200mA（Io），与标准二极管类型一样，该器件也可以用作1μA@800V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.15V@2A，该器件提供800V电压DC反向Vr Max，该器件具有2A（DC）电流平均整流Io，反向恢复时间trr为2μs，电容Vr F为16pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
带有用户指南的SB2J-M3/5BT，包括1.15V@2A电压正向Vf Max。如果设计为在600V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AA（SMB）的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为2μs，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备还可以用作DO-214AA、SMB包装箱，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该设备为表面安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@600V，电流平均整流Io为2A，电容Vr F为16pF@4V，1MHz。
SB2K-M3/5BT带电路图，包括16pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于2A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@800V，提供标准等二极管类型功能，安装类型设计用于表面安装，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该设备也可以用作DO-214AA、SMB封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，设备提供2μs反向恢复时间trr，设备的标准恢复时间>500ns，速度>200mA（Io），供应商设备包装为DO-214AA（SMB），电压DC反向Vr Max为800V，电压正向Vf Max If为1.15V@2A。
