9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的1N5407-B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5407-B参考价格0.18296美元。Diodes Incorporated 1N5407-B包装/规格：DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD。您可以下载1N5407-B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5407是DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD，包括标准回收整流器产品，它们设计用于散装包装，数据表注释中显示了R0中使用的零件别名，R0提供单位重量功能，例如0.038801盎司，安装样式设计用于通孔，以及DO-201AA、DO-27轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-201AD，该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@800V，电压正向Vf Max If为1V@3A，电压直流反向Vr Max为800V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为30pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~170°C，最大工作温度范围为+150°C，最小工作温度范围-65°C，Vf正向电压为1 V，Vr反向电压为800 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为3 A，最大浪涌电流为200 A。
1N5406-TP是DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD，包括600 V Vr反向电压，设计用于在1 V@3A正向电压Vf Max下运行。如果数据表注释中显示了用于600V的直流反向电压Vr Max，提供单位重量功能，如0.038801盎司，供应商设备包设计用于DO-201AD，以及标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，该设备也可作为1N540系列使用。此外，该产品为标准回收整流器，该设备采用切割胶带（CT）替代包装包装，该设备具有DO-201AD，包装箱轴向，其工作温度结范围为-55°C~150°C，安装类型为通孔，最大浪涌电流为200A，它的最大工作温度范围为+150 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为3 A，二极管类型为标准，反向泄漏电流Vr为5μA@600V，平均整流电流Io为3A，配置为单一，电容Vr F为40pF@4V，1MHz。
1N5406T-G是二极管GEN PURP 600V 3A DO201AD，包括3A电流平均整流Io，它们设计为在600V电流反向泄漏Vr下工作5μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型特征，如通孔，其工作温度结范围为-65°C~125°C，以及DO-201AD，轴向包装箱，该设备也可以用作磁带盒（TB）替代包装。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该设备在DO-27（DO-201AD）供应商设备包中提供，该设备具有600V直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为1V@3A。
