英飞凌的高速小信号开关二极管，额定电流高达1A，反向电压高达400V。其中许多设备有双、三和四种配置。
BAW78DH6327XTSA1
- 描述:二极管种类: 标准 最大直流反向电压 (Vr): 400伏 整流平均值 (Io): 1A (DC) 反向恢复时长 (trr): 1.s 供应商设备包装: PG-SOT89 工作结温: 150摄氏度（最高）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 2115
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 1.50579 | 1.50579 |
- 库存: 950
- 单价: ¥1.50580
-
数量:
- +
- 总计: ¥3,184.76
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规格参数
- 整流平均值 (Io) 1A (DC)
- 安装类别 表面安装
- 二极管种类 标准
- 最大直流反向电压 (Vr) 400伏
- 速度 标准恢复>500ns，>200毫安（Io）
- 工作结温 150摄氏度（最高）
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 部件状态 不适用于新设计
- 反向漏电流 @ 直流反向电压 1.A@400伏
- 电容@Vr、法数 10皮法@0V，1MHz
- 反向恢复时长 (trr) 1.s
- 最大正向压降 (Vf) @ 正向工作电流 (If) 1.6伏@1 A
- 包装/外壳 至243AA
- 供应商设备包装 PG-SOT89
BAW78DH6327XTSA1 产品详情
Infineon小信号开关二极管
BAW78DH6327XTSA1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | BAW56W,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ARRAY 90V 150MA SOT323 | ¥0.14486 |
 | BAW156,215 | 恩智浦 (NXP) | DIODE ARRAY 75V 160MA TO236AB | ¥0.21729 |
 | BAW101S,115 | 恩智浦 (NXP) | DIODE DUAL 300V 250MA 6TSSOP | ¥0.21729 |
 | BAW56TA | 达尔科技 (Diodes rporated) | 二极管种类: 标准 二极管架构（配置）: 1对公共阳极 最大直流反向电压 (Vr): 75 V 单二极管整流平均值 (Io): 300毫安 (DC) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作结温: -65摄氏度~150摄氏度 | ¥7.5471 |
 | BAW56-7 | 达尔科技 (Diodes rporated) | 二极管种类: 标准 二极管架构（配置）: 1对公共阳极 最大直流反向电压 (Vr): 75 V 单二极管整流平均值 (Io): 300毫安 (DC) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作结温: -65摄氏度~150摄氏度 | ¥9.41577 |
| BAW56DW KJC | 创基 (CBI) | 二极管配置：2对共阳极 功率：200mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向恢复时间(trr)：4ns | ¥0.26022 |
| BAW56 A1 | 东沃 (DOWO) | 二极管配置：1对共阳极 功率：350mW 直流反向耐压(Vr)：85V 平均整流电流(Io)：215mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向恢复时间(trr)：4ns A1(A1表示丝印) | ¥0.06322 |
| BAW156Q-13-F | 达尔科技 (Diodes rporated) | 暂无 | ¥0.28326 |
 | BAW56T-MS | 美森科 (MSKSEMI) | 二极管配置：1对共阳极 功率：150mW 直流反向耐压(Vr)：85V 平均整流电流(Io)：75mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向恢复时间(trr)：4ns | ¥0.16111 |
| BAW56_R1_00101 | 暂无 | ¥0.14166 |
BAW78DH6327XTSA1所属分类：单整流二极管，BAW78DH6327XTSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。BAW78DH6327XTSA1价格参考￥1.505799，你可以下载 BAW78DH6327XTSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询BAW78DH6327XTSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
