9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的ESH1B-M3/61T,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。ESH1B-M3/61T参考价格为0.16500美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division ESH1B-M3/61T封装/规格:DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC。您可以下载ESH1B-M3/61T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ESH1B-E3/5AT是DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC,包括超快速恢复整流器产品,它们设计用于带卷(TR)替代包装包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.00739盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,包装箱设计用于DO-214AC、SMA、,该设备也可以用作DO-214AC(SMA)供应商设备包。此外,该配置为单一配置,该设备提供快速恢复=200mA(Io)速度,该设备具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为1μa@100V,电压正向Vf Max If为900mV@1A,电压直流反向Vr Max为100V,电流平均整流Io为1A,反向恢复时间trr为25ns,其工作温度结范围为-55℃~175℃,最大工作温度范围为+175℃,最小工作温度范围-55℃,Vf正向电压为900 mV,Vr反向电压为100 V,Ir反向电流为1 uA,If正向电流为1 A,最大浪涌电流为50 A,恢复时间为35 ns。
ESH1B-E3/61T是DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC,包括100V Vr反向电压,它们设计为在900mV@1A电压正向Vf Max下运行。如果数据表注释中显示了100V中使用的电压直流反向Vr Max,其提供Vf正向电压功能,如900mV,单位重量设计为0.003739盎司,以及DO-214AC(SMA)供应商设备包,该设备也可以用作快速恢复=200mA(Io)速度。此外,反向恢复时间trr为25ns,该设备提供35ns恢复时间,该设备具有产品的超快恢复整流器,包装为胶带和卷轴(TR)交替包装,包装箱为DO-214AC,SMA,其工作温度结范围为-55°C~175°C,安装样式为SMD/SMT,安装类型为表面安装,它的最小工作温度范围为-55 C,最大浪涌电流为50 A,最大工作温度范围+175 C,Ir反向电流为1 uA,If正向电流为1 A,二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为1μA@100V,电流平均整流Io为1A,配置为单一。
ESH1B-M3/5AT是DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC,包括25pF@4V,1MHz电容Vr F,它们设计用于1A电流平均整流Io,电流反向泄漏Vr如数据表注释所示,用于1μa@100V,提供二极管类型功能,如标准,安装类型设计用于表面安装,它的工作温度结范围为-55°C~175°C,该器件也可以用作DO-214AC、SMA封装盒。此外,包装为磁带和卷轴(TR)交替包装,设备提供25ns反向恢复时间trr,设备速度快速恢复=20mA(Io),供应商设备包装为DO-214AC(SMA),电压DC反向Vr最大值为100V,电压正向Vf最大值为900mV@1A。