9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的ESH1D-M3/61T,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。ESH1D-M3/61T参考价格为0.16500美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division ESH1D-M3/61T封装/规格:DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC。您可以下载ESH1D-M3/61T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ESH1DHE3_A/I,带有引脚细节,包括汽车、AEC-Q101系列,它们设计为使用磁带和卷轴(TR)替代包装包装,数据表注释中显示了用于DO-214AC、SMA的包装盒,提供表面安装等安装类型功能,供应商设备包设计为在DO-214AA(SMA)中工作,以及快速恢复=20mA(Io)速度,该器件也可以用作标准二极管类型。此外,电流反向泄漏Vr为1μA@200V,该器件提供900mV@1A电压正向Vf Max。如果,该器件具有200V电压直流反向Vr Max,电流平均整流Io为1A,反向恢复时间trr为25ns,电容Vr F为25pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
ESH1D-M3/5AT是DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC,包括900mV@1A电压正向Vf Max。如果设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于DO-214AC(SMA)的供应商设备包,该设备提供快速恢复=20mA(Io)等速度特性,反向恢复时间trr设计为25ns,除了磁带和卷轴(TR)交替包装包装外,该器件还可以用作DO-214AC、SMA封装盒,其工作温度结范围为-55°C~175°C,该器件为表面安装型,该器件具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为1μa@200V,电流平均整流Io为1A,电容Vr F为25pF@4V,1MHz。
ESH1DM带有电路图,包括卷筒包装,它们设计用于RSG零件别名。