9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VSSB410S-E3/5BT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VSSB410S-E3/5BT参考价格为0.16500美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VSSB410S-E3/5BT封装/规格：DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA。您可以下载VSSB410S-E3/5BT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VSSB410S-E3/52T是DIODE SCHOTTKY 100V 1.9A DO214AA，包括TMBSR系列，它们设计用于肖特基整流器产品。数据表说明中显示了用于Digi-ReelR替代包装的包装，该包装提供零件别名功能，如VSSB410S-M3/52T，单位重量设计为0.006349盎司，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作TMBS商标名。此外，封装外壳为DO-214AA，SMB，器件采用Si技术提供，器件具有安装型表面安装，供应商器件封装为DO-214A（SMB），配置为单一，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为250μa@100V，电压正向Vf Max If为770mV@4A，电压DC反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为1.9A（DC），电容Vr F为230pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-40°C~150°C，其最大工作温度范围为+150°C、最小工作温度范围-40°C，Vf正向电压为0.68 V，Ir反向电流为250 uA，并且如果正向电流是4A，并且Vrm重复反向电压是100V，并且Ifsm正向浪涌电流是80A。
VSSB3L6S-M3/52T是DIODE SCHOTTKY 60V 2.6A DO214AA，包括590mV@3A电压正向Vf Max。如果它们设计为在60V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-214AA（SMB）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于TMBSR，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该器件还可以用作DO-214AA、SMB封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管肖特基型，电流反向泄漏Vr为1.2mA@60V，电流平均整流Io为2.6A，电容Vr F为358pF@4V，1MHz。
带有电路图的VSSB3L6S-M3/5BT，包括358pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于2.6A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1.2mA@60V，提供肖特基等二极管型功能，安装型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可用作DO-214AA、SMB封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，该设备以TMBSR系列提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装为DO-214AA（SMB），电压DC反向Vr Max为60V，电压正向Vf Max If为590mV@3A。
