9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S1B-M3/61T,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。S1B-M3/61T参考价格为0.05421美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division S1B-M3/61T封装/规格:DIODE GPP 1A 100V DO-214AC。您可以下载S1B-M3/61T英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如S1B-M3/61T价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
S1BHE3_A/I,带有引脚细节,包括S1B系列,它们设计为与磁带和卷轴(TR)交替包装包装一起工作,数据表注释中显示了用于DO-214AC、SMA的包装箱,提供表面安装等安装类型功能,供应商设备包设计为在DO-214AA(SMA)中工作,以及标准恢复>500ns、>200mA(Io)速度,该器件也可以用作标准二极管类型。此外,电流反向泄漏Vr为1μA@100V,该器件提供1.1V@1A电压正向Vf Max If,该器件具有100V电压直流反向Vr Max,电流平均整流Io为1A,反向恢复时间trr为1.8μs,电容Vr F为12pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
带有用户指南的S1B-M3/5AT,包括1.1V@1A电压正向Vf最大值。如果设计为在100V电压直流反向Vr最大值下运行,则数据表说明中显示了用于DO-214AC(SMA)的供应商设备包,该设备提供速度特性,如标准恢复>500ns,>200mA(Io),反向恢复时间trr设计为1.8μs,除了磁带和卷轴(TR)交替包装包装外,该器件还可以用作DO-214AC、SMA封装盒,其工作温度结范围为-55°C~150°C,该器件为表面安装型,该器件具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为1μa@100V,电流平均整流Io为1A,电容Vr F为12pF@4V,1MHz。
S1BL是整流器1A 100V,包括单配置,它们设计为在1 a下工作。如果数据表注释中显示了5 uA下使用的正向电流、Ir反向电流,它的最大工作温度范围为+150 C,最大浪涌电流设计为在30 a下工作,它的最小工作温度范围是-55 C,该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外,包装箱为SMA-Sub-2,该设备采用卷筒包装,该设备具有零件别名R3,产品为标准恢复整流器,恢复时间为1.5 us,Vf正向电压为1.1 V,Vr反向电压为100 V。