9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SE20AFGHM3/6A,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SE20AFGHM3/6A参考价格为0.11633美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SE20AFGHM3/6A封装/规格:DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC。您可以下载SE20AFGHM3/6A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SE20AFD-M3/6A是DIODE GEN PURP 200V 2A DO221AC,包括标准回收整流器产品,它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装。数据表注释中显示了用于SE20AFDHM3/6A SE20AFDHM3/6B的零件别名,SE20AFDHM 3/6A提供单位重量功能,如0.001129盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及SlimSMA商品名,该器件也可以用作DO-221AC、SMA扁平引线封装盒。此外,安装类型为表面安装,该设备在DO-221AC(SlimSMA)供应商设备包中提供,该设备的标准恢复时间大于500ns,速度大于200mA(Io),二极管类型为标准,电流反向泄漏Vr为5μa@200V,电压正向Vf Max If为1.1V@2A,电压反向Vr Max为200V,电流平均整流Io为2A(DC),反向恢复时间trr为1.2μs,电容Vr F为12pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-55°C~175°C,Vr反向电压为200V,Ir反向电流为5uA,如果正向电流为2A,最大浪涌电流为35A,恢复时间为1.2us。
SE20AFDHM3/6B是DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC,包括1.1V@2A电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于DO-221AC(SlimSMA)的供应商设备包,该DO-221AAC提供速度特性,如标准恢复>500ns,>200mA(Io),该系列设计用于汽车、AEC-Q101、,除了1.2μs反向恢复时间trr,该设备还可以用作磁带和卷轴(TR)替代包装。此外,封装外壳为DO-221AC,SMA扁平引线,其工作温度结范围为-55°C~175°C,该器件具有安装型表面安装,二极管类型为标准型,电流反向泄漏Vr为5μa@200V,电流平均整流Io为1.3A(DC),电容Vr F为12pF@4V,1MHz。
SE20AFD-M3/6B是DIODE GEN PURP 200V 1.3A DO221AC,包括12pF@4V,1MHz电容Vr F,它们设计用于1.3A(DC)电流平均整流Io,电流反向泄漏Vr如数据表注释所示,用于5μa@200V,提供二极管类型功能,如标准,安装类型设计用于表面安装,它的工作温度结范围为-55°C~175°C,该器件也可以用作DO-221AC、SMA扁平引线封装盒。此外,包装为磁带和卷轴(TR),该设备提供1.2μs反向恢复时间trr,该设备具有自动AEC-Q101系列,速度为标准恢复>500ns,>200mA(Io),供应商设备包为DO-221AC(SlimSMA),电压直流反向Vr Max为200V,电压正向Vf Max If为1.1V@2A。