9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYT52D-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYT52D-TAP参考价格为0.26730美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYT52D-TAP封装/规格：DIODE AVLANCHE 200V 1.4A SOD57。您可以下载BYT52D-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BYT52B-TAP是DIODE AVLANCHE 100V 1.4A SOD57，包括快速恢复整流器产品，它们设计为使用磁带盒（TB）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.013016盎司，具有通孔等安装类型功能，包装箱设计为适用于SOD-57、轴向以及通孔安装类型，该设备也可以用作SOD-57供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型雪崩，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电压正向Vf Max If为1.3V@1A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为1.4A，反向恢复时间trr为200ns，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为1.3V（1A），Vr反向电压为100V，Ir反向电流为5uA，If正向电流为1.4A，最大浪涌电流为50A，恢复时间为200ns。
BYT52B-TR是DIODE AVLANCHE 100V 1.4A SOD57，包括1.3V@1A电压正向Vf Max。如果它们设计为在100V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于SOD-57的供应商设备包，该SOD-57提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为200ns，除了磁带和卷轴（TR）交替包装外，该器件还可以用作SOD-57轴向包装盒，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管雪崩型，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电流平均整流Io为1.4A。
BYT52D是VISHAY制造的二极管开关200V 1.4A 2引脚外壳D-2。BYT52D采用SOD-57封装，是IC芯片的一部分，支持二极管开关200V 1.4A 2引脚外壳D-2。
