9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYT53A-TAP,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。BYT53A-TAP参考价格为0.26730美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYT53A-TAP封装/规格:DIODE AVLANCHE 50V 1.9A SOD57。您可以下载BYT53A-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BYT52M-TR是DIODE AVLANCHE 1KV 1.4A SOD57,包括快速恢复整流器产品,它们设计用于切割胶带(CT)替代包装包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.013016盎司的包装,提供安装类型功能,如通孔,包装箱设计用于SOD-57、轴向以及通孔安装类型,该设备也可以用作SOD-57供应商设备包。此外,该配置为单一配置,该设备提供快速恢复=200mA(Io)速度,该设备具有二极管型雪崩,电流反向泄漏Vr为5μa@1000V,电压正向Vf Max If为1.3V@1A,电压直流反向Vr Max为1000V(1kV),电流平均整流Io为1.4A,反向恢复时间trr为200ns,它的工作温度结范围为-55°C~175°C,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围是-55 C,1 A时Vf正向电压为1.3 V,Vr反向电压为1000 V,Ir反向电流为5 uA,If正向电流为1.4 A,最大浪涌电流为50 A,恢复时间为200 ns。
BYT52M-TAP是DIODE AVLANCHE 1KV 1.4A SOD57,包括1000 V Vr反向电压,它们设计为在1A电压正向Vf Max下工作1.3V。如果数据表注释中显示了用于1000V(1KV)的电压DC反向Vr Max,它提供了1 a时1.3 V的正向电压特性,单位重量设计为0.013016盎司,以及SOD-57供应商设备包,该设备也可以用作快速恢复=200mA(Io)速度。此外,反向恢复时间trr为200ns,该设备在200ns恢复时间内提供,该设备具有产品快速恢复整流器,包装为磁带盒(TB),包装箱为SOD-57,轴向,其工作温度结范围为-55°C~175°C,安装方式为通孔,安装类型为通孔,它的最小工作温度范围为-55 C,最大浪涌电流为50 A,最大工作温度范围+175 C,Ir反向电流为5 uA,如果正向电流为1.4 A,二极管类型为雪崩,电流反向泄漏Vr为5μA@1000V,电流平均整流Io为1.4A,配置为单一。
BYT52M是VISHAY制造的二极管开关1KV 1.4A 2引脚外壳D-2。BYT52M采用SOD57封装,是二极管、整流器-单体的一部分,支持二极管开关1KV 1.4A 2引脚外壳D-2。