9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的UF4007-M3/73，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。UF4007-M3/73参考价格0.11662美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division UF4007-M3/73封装/规格：DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL。您可以下载UF4007-M3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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UF4007-G，带销细节，包括切割胶带（CT）替代包装包装，它们设计为轴向安装型，包装箱如数据表注释所示，用于DO-204AL、DO-41、轴向，提供安装型功能，如通孔，供应商设备包装设计为在DO-41中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为5μA@800V，该器件提供1.7V@1A电压正向Vf Max。如果，该器件具有800V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为75ns，电容Vr F为10pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
UF4007-M3/54，带用户指南，包括1.7V@1A电压正向Vf Max。如果设计为在1000V（1kV）电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-204AL（DO-41）中使用的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为75ns，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备还可以用作DO-204AL、DO-41、轴向包装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该设备为通孔安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@1000V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为17pF@4V，1MHz。
UF4007GP-TP是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41，包括17pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@1000V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该装置也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向封装外壳。此外，包装为切割胶带（CT）交替包装，该设备以75ns反向恢复时间trr提供，该设备的速度快速恢复=200mA（Io），供应商设备包装为DO-41，电压DC反向Vr最大值为1000V（1kV），电压正向Vf最大值为1.7V@1A。
