9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYW33-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYW33-TAP参考价格为0.26730美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYW33-TAP封装/规格：DIODE-AVALANCHE 300V 2A SOD57。您可以下载BYW33-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如BYW33-TAP价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
BYW32-TR是DIODE AVLANCHE 200V 2A SOD57，包括快速恢复整流器产品，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装包装一起工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.013016盎司的包装，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计为SOD-57、轴向以及通孔安装类型，该设备也可以用作SOD-57供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型雪崩，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为200ns，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为1.1 V（1 A），Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为2 A，最大浪涌电流为50 A，恢复时间为200 ns。
BYW32-TAP是DIODE AVLANCHE 200V 2A SOD57，包括200V Vr反向电压，它们设计为在1.1V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于200V的直流反向Vr Max，该200V提供了1.1 V的正向电压特性，例如1 a时的1.1 V，单位重量设计为0.013016盎司，以及SOD-57供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为200ns，该设备在200ns恢复时间内提供，该设备具有产品快速恢复整流器，包装为磁带盒（TB）交替包装，包装箱为SOD-57，轴向，其工作温度接合范围为-55°C~175°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，它的最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为50 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为2 A，二极管类型为雪崩，电流反向泄漏Vr为5μA@200V，电流平均整流Io为2A，配置为单一。
BYW29G-200-TR是DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK，包括8A电流平均整流Io，它们设计为在200V电流反向泄漏Vr下工作10μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供了表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为150°C（最大值），以及to-263-3，D2Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装盒，该设备也可用作切割胶带（CT）封装。此外，反向恢复时间trr为35ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的D2PAK，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.15V@10A。
