9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N4248GP-E3/54，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4248GP-E3/54参考价格为0.17803美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N4248GP-E3/54封装/规格：DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL。您可以下载1N4248GP-E3/54英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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1N4248是DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL，包括标准回收整流器产品，它们设计用于散装包装，安装方式如数据表注释所示，用于轴向，其工作温度范围为-65 C至+175 C，包装箱设计用于a、轴向以及通孔安装型，该设备也可以用作单一配置。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该器件为标准二极管类型，该器件具有1μa@800V电流反向泄漏Vr，电压正向Vf Max If为1.3V@3A，电压直流反向Vr Max为800V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为5μs，其工作温度结范围为-65℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，最小工作温度范围是-65℃，Vf正向电压为1.2 V，Vr反向电压为800 V，Ir反向电流为25 uA，如果正向电流为1 A，最大浪涌电流为30 A，恢复时间为1 us。
1N4247GP-M3/54，带用户指南，包括1.2V@1A正向电压Vf Max，如果设计用于600V直流反向电压Vr Max，则供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-204AL（DO-41），提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该设备还可以用作DO-204AL、DO-41、轴向包装盒，其工作温度结范围为-65°C~160°C，该设备为通孔安装型，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@600V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为8pF@4V，1MHz。
1N4247GP-M3/73，带电路图，包括8pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@600V，提供标准等二极管类型功能，安装类型设计用于通孔，其工作温度结范围为-65°C~160°C，该装置也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向包装箱。此外，包装为磁带盒（TB）替代包装，该设备为SUPERECTIFIERR系列，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），供应商设备包装为DO-204AL（DO-41），直流反向电压Vr最大值为600V，正向电压Vf最大值为1.2V@1A。
