9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYT54D-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYT54D-TR参考价格为0.26730美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYT54D-TR封装/规格：DIODE AVLANCHE 200V 1.25A SOD57。您可以下载BYT54D-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BYT54B-TR是DIODE AVLANCHE 100V 1.25A SOD57，包括快速恢复整流器产品，它们设计用于带卷（TR）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，适用于0.013016盎司的包装，具有通孔等安装类型特征，包装箱设计用于SOD-57、轴向以及通孔安装类型，该设备也可以用作SOD-57供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，该设备具有二极管型雪崩，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电压正向Vf Max If为1.5V@1A，电压直流反向Vr Max为100V，电流平均整流Io为1.25A，反向恢复时间trr为100ns，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压在1 A时为1.5 V，Vr反向电压为100 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为1.25 A，最大浪涌电流为30 A，恢复时间为100 ns。
BYT54B-TAP是DIODE AVLANCHE 100V 1.25A SOD57，包括100V Vr反向电压，它们设计为在1.5V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了100V中使用的电压直流反向Vr Max，该100V提供了1.5V的正向电压特性，如1A时的1.5V，单位重量设计为0.013016盎司，以及SOD-57供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为100ns，设备以100ns恢复时间提供，设备具有产品快速恢复整流器，包装为磁带盒（TB）交替包装，包装箱为SOD-57，轴向，其工作温度结范围为-55°C~175°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，它的最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为30 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1.25 A，二极管类型为雪崩，电流反向泄漏Vr为5μA@100V，电流平均整流Io为1.25A，配置为单一。
BYT54D-TAP是二极管AVLANCHE 200V 1.25A SOD57，包括1.25A电流平均整流Io，它们设计为在200V电流反向泄漏Vr下工作5μa，二极管类型如数据表注释所示，用于雪崩，提供安装类型功能，如通孔，其工作温度结范围为-55°C~175°C，以及SOD-57，轴向包装箱，该设备也可以用作磁带盒（TB）替代包装。此外，反向恢复时间trr为100ns，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的SOD-57，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.5V@1A。
